《地下城3》第十八章【荣光背后】这一关的奖牌关键在于方尖碑,这一关要怎么通关呢,下面小编就为大家带来一篇“细拉”分享的第十八章荣光背后过关要点及成就指南,希望对各位有所帮助。

第十八章荣光背后过关要点及成就指南

铜牌成就:通关

要点:

无。方尖碑夺取容易,威力强劲,通关不难。

本关钻石矿脉位置:

《地下城3》第十八章荣光背后过关要点及成就指南

银牌成就:使用方尖碑杀死30个英雄

要点:

减缓推进速度,仅利用方尖碑杀死路上集群的敌人,该成就一般很容易完成。

金牌成就:25分钟内发现两个方尖碑

要点:

推荐使用大量地精机甲配合娜迦快速rush。

该处石头攻击可使其倒下形成桥梁,快速夺取第一个方尖碑。靠近后会出现几个石偶,没什么威胁。

《地下城3》第十八章荣光背后过关要点及成就指南

从靠近城的小道向左行进,途中可能会遭遇投石机打击,注意不要逗留过长。通过之后前往左上角,保留一个方尖碑使用次数。下图营帐附近敌人较强,且有一高攻剑圣,走上高地之后对集群敌人释放方尖碑魔法,会消灭该地除剑圣外的一切英雄。之后围殴剑圣,地精机甲在6台以上可稳定获胜。

《地下城3》第十八章荣光背后过关要点及成就指南

标签:

免责声明:本站文章均来自网站采集或用户投稿,网站不提供任何软件下载或自行开发的软件! 如有用户或公司发现本站内容信息存在侵权行为,请邮件告知! 858582#qq.com

RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。