Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了:20nm制程工艺
Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了,号称性能、可靠性是NAND闪存1000倍,容量密度是后者10倍,各种黑科技秒杀当前闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存Optane硬盘问世,消费级容量是16/32GB,企业级有个375GBDC P4800X系列,随机性能确实很强大。
不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存技术内幕,好在现在可以确定一点了,那就是375GBDC P4800X硬盘使用是20nm工艺。
Intel当年发布3D XPoint闪存之后并没有透露该技术细节,只说它是不同于NAND闪存新型存储技术,性能、可靠性及密度全面领先当前NAND产品。Intel不公开技术内幕大概是为了保密,业界早前也在猜测3D XPpint闪存有可能是基于PCM相变技术,也有说是ReRAM技术,只是这些都无法证实。
现在Computerbase网站论坛有人爆料了DC P4800X硬盘PCN通知书,里面提到了它是基于20nm工艺,只是Intel以往PCN通知都是公开,但这次需要授权用户登录才能看到,所以普通人也无法查阅具体细节了。
Intel使用20nm工艺制造3D XPoint闪存也不算意外,虽然在进入3D闪存之后厂商就很少公布具体制程工艺了,大多时候只公布堆栈层数,不过大部分3D闪存使用制程工艺都不会很先进,三星早期V-NAND闪存使用还是40nm工艺,几年前制程工艺了,听上去落后,但实际上是好事,因为提升密度可以靠对堆栈层数,更“落后”工艺往往有更好可靠性。
《魔兽世界》大逃杀!60人新游玩模式《强袭风暴》3月21日上线
暴雪近日发布了《魔兽世界》10.2.6 更新内容,新游玩模式《强袭风暴》即将于3月21 日在亚服上线,届时玩家将前往阿拉希高地展开一场 60 人大逃杀对战。
艾泽拉斯的冒险者已经征服了艾泽拉斯的大地及遥远的彼岸。他们在对抗世界上最致命的敌人时展现出过人的手腕,并且成功阻止终结宇宙等级的威胁。当他们在为即将于《魔兽世界》资料片《地心之战》中来袭的萨拉塔斯势力做战斗准备时,他们还需要在熟悉的阿拉希高地面对一个全新的敌人──那就是彼此。在《巨龙崛起》10.2.6 更新的《强袭风暴》中,玩家将会进入一个全新的海盗主题大逃杀式限时活动,其中包含极高的风险和史诗级的奖励。
《强袭风暴》不是普通的战场,作为一个独立于主游戏之外的活动,玩家可以用大逃杀的风格来体验《魔兽世界》,不分职业、不分装备(除了你在赛局中捡到的),光是技巧和战略的强弱之分就能决定出谁才是能坚持到最后的赢家。本次活动将会开放单人和双人模式,玩家在加入海盗主题的预赛大厅区域前,可以从强袭风暴角色画面新增好友。游玩游戏将可以累计名望轨迹,《巨龙崛起》和《魔兽世界:巫妖王之怒 经典版》的玩家都可以获得奖励。
更新动态
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